南工大制备超薄半导体材料

　　近日，南京工业大学王琳教授课题组采用简单快速高效的合成方法，成功制备出超薄的高质量二维碘化铅(PbI2)晶体，并且通过它实现了对二维过渡金属硫化物材料光学性质的调控。相关成果发表在国际权威期刊《先进材料》上。

　　“我们制备的这一超薄PbI2纳米片，专业术语称为‘原子级厚度的宽禁带二维PbI2晶体’，是一种超薄的半导体材料，厚度只有几个纳米。我们采用溶液法合成工艺，这种方法对设备要求很低，具有简单、快速、高效的优点，能够满足大面积和高产量的材料制备需求。”论文第一作者、南工大博士生孙研说，“之后，我们把这一超薄的PbI2纳米片与二维过渡金属硫化物(TMDs)结合，进行人工设计，把它们堆叠到一起，制备出不同类型的PbI2/TMDs异质结。因为能级排列方式不一样，因此PbI2对不同TMDs材料的光学表现有不同影响。”

　　这一工作成果实现了超薄PbI2对二维过渡金属硫化物材料光学性质的调控，充分展现了其在二维材料能带工程中的灵活性和多样性。与传统以硅基材料为主体的光电子器件相比，这一新方法由于所采用的材料具有柔性、微纳尺寸特点，因此可以应用在制备柔性化、可集成的光电子器件方面，也为制造太阳能电池、光电探测器等提供了新思路。