大功率量产化深紫外LED芯片投产

　　领全球之先

　　中化新网讯 5月30日，中科潞安深紫外LED项目投产仪式在中科潞安紫外光电科技有限公司举行。该项目的投产，标志着全球首条大功率量产化深紫外LED芯片生产线问世。

　　潞安集团党委副书记、总经理刘俊义在致辞中说，深紫外LED是潞安重点培育的高新技术产业。在深紫外LED领域，潞安集团坚持早布局、重研发、产业化的基本思路，与中科院半导体所、长治市人民政府“三方共建”，成功搭建了中科潞安半导体产业技术研究院这一开发设计平台和中科潞安深紫外科技公司这一产业化推广平台。今明两年，潞安将努力把中科潞安研究院打造成为国家级创新平台;同时，在深紫外LED芯片一期项目工程达产达效的基础上，加快推进二期年产3亿颗深紫外LED外延芯片生产线的建设，适时启动长治紫外光电产业园区建设，力争把长治打造成为全国乃至全球深紫外LED产业集聚区，为山西省高质量转型发展闯出一条新路。

　　中国科学院半导体研究所副所长杨富华和第三代半导体产业创新战略联盟理事长、国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲也在致辞中表示，希望中科潞安深紫外LED项目以科技创新为动力，抢占深紫外LED领域的至高点。还要积极布局，推进关键技术的产业化以及我国氮化物LED的发展，开启未来万亿级产值的半导体深紫外市场，形成全球领先的深紫外光源技术及产品。

　　据中科潞安紫外光电科技有限公司董事长李晋闽介绍，2018年12月27日，中科潞安深紫外LED项目完成核心建设，实现联合试运转。经过5个月的调试和工艺验证，项目生产线设备状态良好，生产能力稳步提升，最终顺利投产。